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PTFB211503EL V1

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 H-33288-6
數(shù)量:
 3213  
說明:
 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS 9
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PTFB211503EL V1-H-33288-6圖片

PTFB211503EL V1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號(hào)別名:FB211503ELV1NP PTFB211503ELV1XWSA1 SP000706406
系列:PTFB211503
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.08 Ohms
最小工作溫度:- 40 C
封裝形式:H-33288-6
最大工作溫度:+ 125 C
閘/源擊穿電壓:10 V
漏極連續(xù)電流:1.2 A
汲極/源極擊穿電壓:65 V
配置:Single
產(chǎn)品種類:射頻MOSFET電源晶體管
制造商:Infineon

以上是PTFB211503EL V1的詳細(xì)信息,包括PTFB211503EL V1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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