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PTFB211803EL V1 R250

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 H-33288-6
數量：
 3276  
說明：
 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS 9
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PTFB211803EL V1 R250-H-33288-6圖片

PTFB211803EL V1 R250 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：FB211803ELV1R25NT PTFB211803ELV1R250XTMA1 SP000812610
系列：PTFB211803
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.05 Ohms
最小工作溫度：- 40 C
封裝形式：H-33288-6
最大工作溫度：+ 125 C
閘/源擊穿電壓：10 V
漏極連續電流：1.3 A
汲極/源極擊穿電壓：65 V
配置：Single
產品種類：射頻MOSFET電源晶體管
制造商：Infineon

以上是PTFB211803EL V1 R250的詳細信息，包括PTFB211803EL V1 R250廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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