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PTFA181001GLV1

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 PG-36248-2
數量：
 2826  
說明：
 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LD EPOC
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PTFA181001GLV1-PG-36248-2圖片

PTFA181001GLV1 PDF參數資料

中文參數如下：

功率耗散：407 W
安裝風格：SMD/SMT
包裝形式：Tray
封裝形式：PG-36248-2
最大工作溫度：+ 150 C
閘/源擊穿電壓：12 V
漏極連續電流：750 mA
汲極/源極擊穿電壓：65 V
輸出功率：100 W
增益：16.5 dB
頻率：1.8 GHz to 1.88 GHz
晶體管極性：N-Channel
配置：Single
RoHS：是
產品種類：射頻MOSFET電源晶體管
制造商：Infineon

以上是PTFA181001GLV1的詳細信息，包括PTFA181001GLV1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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