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PHM30NQ10T,518

廠家：
  NXP Semiconductors
封裝：
 8-HVSON（5x6）
數(shù)量：
 4851  
說明：
 MOSFET N-CH 100V 37.6A SOT685-1
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PHM30NQ10T,518-8-HVSON（5x6）圖片

PHM30NQ10T,518 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C20 毫歐 @ 18A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)100V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）4V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs53.7nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C37.6A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 3600pF @ 25V
功率 - 最大62.5W
安裝類型表面貼裝

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