色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > PHD21N06LT,118

PHD21N06LT,118

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: DPAK
數(shù)量：: 4446
說明：: 兩極晶體管 - BJT TRENCH-55

一、本商品被瀏覽0次.

PHD21N06LT,118 PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號別名：/T3 PHD21N06LT
工廠包裝數(shù)量：2500
包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：56000 mW
封裝形式：SOT-428
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
RoHS：是
產(chǎn)品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：NXP

以上是PHD21N06LT,118的詳細信息，包括PHD21N06LT,118廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：