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PHD3055E,118

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: DPAK
數(shù)量：: 4473
說(shuō)明：: MOSFET N-CH TRNCH 60V 10.3A

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PHD3055E,118 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：/T3 PHD3055E
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：8 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
功率耗散：33000 mW
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-428
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：150 mOhms
漏極連續(xù)電流：10.3 A
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET
制造商：NXP

以上是PHD3055E,118的詳細(xì)信息，包括PHD3055E,118廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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