色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > NVTFS9D6P04M8LTAG

NVTFS9D6P04M8LTAG

廠家：: onsemi
封裝：: 8-WDFN（3.3x3.3）
數(shù)量：: 2673
說明：: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN

一、本商品被瀏覽0次.

NVTFS9D6P04M8LTAG PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：3.2W（Ta），75W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2312 pF @ 20 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：34.6 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 580μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：9.5 毫歐 @ 20A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：13A（Ta），64A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：40 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：P 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：Automotive, AEC-Q101
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：onsemi

以上是NVTFS9D6P04M8LTAG的詳細(xì)信息，包括NVTFS9D6P04M8LTAG廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：