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NVTP2955G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: -
數(shù)量：: 495
說明：: MOSFET POWER MOSFET 60V 12A 196

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NVTP2955G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：47 ns
上升時間：80 ns
功率耗散：62.5 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：14 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：6 S
下降時間：85 ns
封裝形式：TO-220
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：156 mOhms
漏極連續(xù)電流：- 12 A
汲極/源極擊穿電壓：- 60 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：否
制造商：ON Semiconductor

以上是NVTP2955G的詳細(xì)信息，包括NVTP2955G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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