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NUS5530MNR2G

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 8-DFN(3.3x3.3)
數量:
 2664  
說明:
 MOSFET INTEGRATED POWER BJT
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NUS5530MNR2G-8-DFN(3.3x3.3)圖片

NUS5530MNR2G PDF參數資料

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中文參數如下:

工廠包裝數量:3000
功率耗散:635 mW
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :12 S
包裝形式:Reel
封裝形式:DFN8
安裝風格:SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS(導通):200 Ohms
漏極連續電流:- 3.9 A
閘/源擊穿電壓:- 35 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:ON Semiconductor

以上是NUS5530MNR2G的詳細信息,包括NUS5530MNR2G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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