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NUS5531MTR2G

廠家：
  ON Semiconductor
封裝：
 8-WDFN（3x3）
數量：
 2682  
說明：
 MOSFET 12V PFET W 20V PNP
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NUS5531MTR2G-8-WDFN（3x3）圖片

NUS5531MTR2G PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：80 ns
工廠包裝數量：3000
上升時間：17.5 ns
功率耗散：1460 mW
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：13 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：5.9 S
下降時間：17.5 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：WDFN-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：32 mOhms
漏極連續電流：5.47 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：12 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NUS5531MTR2G的詳細信息，包括NUS5531MTR2G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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