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NTMS4P01R2

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: 8-SOIC
數量：: 7830
說明：: MOSFET P-CH 12V 3.4A 8-SOIC

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NTMS4P01R2 PDF參數資料

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中文參數如下：
FET 型MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點邏輯電平門
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C45 毫歐 @ 4.5A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss)12V
Id 時的 Vgs(th)（最大）1.15V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs35nC @ 4.5V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C3.4A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 1850pF @ 9.6V
功率 - 最大790mW
安裝類型表面貼裝

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