色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > NTMS5835NLR2G

NTMS5835NLR2G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: 8-SOIC
數(shù)量：: 8712
說明：: MOSFET NFET SO8-S 40V 10mOHM

一、本商品被瀏覽0次.

NTMS5835NLR2G PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

上升時間：45 ns
功率耗散：1.5 W
柵極電荷 Qg：50 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：10 S
下降時間：9 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SO-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：14 mOhms
漏極連續(xù)電流：9.2 A
汲極/源極擊穿電壓：40 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTMS5835NLR2G的詳細(xì)信息，包括NTMS5835NLR2G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：