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NTLJS4149PTBG

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: 6-WDFN 裸露焊盤
數(shù)量：: 6435
說明：: MOSFET PFET 2X2 30V 4.6A 60MO

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NTLJS4149PTBG PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：60 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時(shí)間：11 ns
功率耗散：1900 mW
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：11 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：WDFN-6
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：62 mOhms at 4.5 V
漏極連續(xù)電流：4.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTLJS4149PTBG的詳細(xì)信息，包括NTLJS4149PTBG廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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