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NTLTD7900ZR2G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: 8-DFN（3x3），（MICRO8 LEADLESS）
數(shù)量：: 6453
說明：: MOSFET 20V 9A N-Channel

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NTLTD7900ZR2G-8-DFN（3x3），（MICRO8 LEADLESS）圖片

NTLTD7900ZR2G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：1.87 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時間：1.17 ns
功率耗散：1.5 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：1.17 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：Micro-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.031 Ohms
漏極連續(xù)電流：6 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTLTD7900ZR2G的詳細信息，包括NTLTD7900ZR2G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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