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NTLJS1102PTAG

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 6-WDFN(2x2)
數量:
 6327  
說明:
 MOSFET PFET WDFN6 8V 8.1A 36mOhm
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NTLJS1102PTAG-6-WDFN(2x2)圖片

NTLJS1102PTAG PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:80 ns
工廠包裝數量:3000
上升時間:41 ns
功率耗散:3.3 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :14.3 S
下降時間:70 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:WDFN-6
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain
電阻汲極/源極 RDS(導通):80 mOhms
漏極連續電流:6.2 A
閘/源擊穿電壓:+/- 6 V
汲極/源極擊穿電壓:- 8 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:ON Semiconductor

以上是NTLJS1102PTAG的詳細信息,包括NTLJS1102PTAG廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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