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NTLJF3117PTAG

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 6-WDFN(2x2)
數(shù)量:
 6273  
說明:
 MOSFET PFET 20V 4.1A 106MO 2X2
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NTLJF3117PTAG-6-WDFN(2x2)圖片

NTLJF3117PTAG PDF參數(shù)資料

PDF點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:13.7 ns
工廠包裝數(shù)量:3000
上升時間:13.2 ns
功率耗散:0.71 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :3.1 S
下降時間:19.1 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:WDFN-6
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):150 mOhms
漏極連續(xù)電流:- 2.3 A
閘/源擊穿電壓:+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓:- 20 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:ON Semiconductor

以上是NTLJF3117PTAG的詳細信息,包括NTLJF3117PTAG廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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