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NTLJD3119CTBG

廠(chǎng)家:
  ON Semiconductor
封裝:
 6-WDFN(2x2)
數(shù)量:
 9165  
說(shuō)明:
 MOSFET COMP 2X2 20V 3.8A 100mOhm
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NTLJD3119CTBG-6-WDFN(2x2)圖片

NTLJD3119CTBG PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:11.1 ns at N Channel, 13.7 ns at P Channel
工廠(chǎng)包裝數(shù)量:3000
上升時(shí)間:4.7 ns at N Channel, 13.2 ns at P Channel
功率耗散:0.71 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :4.2 S, 3.1 S
下降時(shí)間:4.7 ns at N Channel, 13.2 ns at P Channel
包裝形式:Reel
封裝形式:506AN
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):38 m Ohms, 75 m Ohms
漏極連續(xù)電流:3.8 A, - 3.3 A
閘/源擊穿電壓:+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓:21 V, - 20 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
制造商:ON Semiconductor

以上是NTLJD3119CTBG的詳細(xì)信息,包括NTLJD3119CTBG廠(chǎng)家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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