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NTLGD3502NT2G

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 6-DFN(3x3)
數(shù)量:
 6057  
說明:
 MOSFET NFET DFN 20V 4.6A 3X3 60M
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NTLGD3502NT2G-6-DFN(3x3)圖片

NTLGD3502NT2G PDF參數(shù)資料

PDF點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:8.6 ns
工廠包裝數(shù)量:3000
上升時間:17.5 ns
功率耗散:1740 mW
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:17.5 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:DFN-6
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):60 mOhms at 4.5 V
漏極連續(xù)電流:4.3 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:ON Semiconductor

以上是NTLGD3502NT2G的詳細(xì)信息,包括NTLGD3502NT2G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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