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NTGD1100LT1G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6
數(shù)量：: 4158
說明：: MOSFET 8V +/-3.3A P-Channel w/Level Shift

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NTGD1100LT1G-SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6圖片

NTGD1100LT1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：3000
功率耗散：8.3 W
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：TSOP
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Common Drain Gate
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.08 Ohms
漏極連續(xù)電流：+/- 3.3 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：8 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTGD1100LT1G的詳細(xì)信息，包括NTGD1100LT1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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