色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > NTGD4167CT1G

NTGD4167CT1G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: 6-TSOP
數量：: 650905
說明：: MOSFET COMP 30V 2.9A 0.090 TSOP6

一、本商品被瀏覽0次.

NTGD4167CT1G PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

典型關閉延遲時間：14 ns at N Channel, 22 ns at P Channel
工廠包裝數量：3000
上升時間：4 ns at N Channel, 8 ns at P Channel
功率耗散：1100 mW
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：4 ns at N Channel, 8 ns at P Channel
包裝形式：Reel
封裝形式：TSOP-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：90 mOhms at 4.5 V at N Channel, 170 mOhms at 4.5 V at P Channel
漏極連續電流：2.2 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTGD4167CT1G的詳細信息，包括NTGD4167CT1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：