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NTD4960N-1G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: I-Pak
數(shù)量：: 6777
說明：: MOSFET NFET IPAK 30V 55A 8mOHM

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NTD4960N-1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

上升時(shí)間：20 ns
功率耗散：1.68 W
柵極電荷 Qg：11 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：48 S
下降時(shí)間：4 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：IPAK
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 85 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：6.1 mOhms
漏極連續(xù)電流：11.1 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

以上是NTD4960N-1G的詳細(xì)信息，包括NTD4960N-1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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