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NTD4963N-1G

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 IPAK
數(shù)量:
 10040  
說明:
 MOSFET NFET IPAK 30V 44A 9.6MOHM
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NTD4963N-1G-IPAK圖片

NTD4963N-1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關閉延遲時間:14 ns
上升時間:20 ns
功率耗散:35.7 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:8.1 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :40 S
下降時間:3 ns
包裝形式:Rail
封裝形式:IPAK
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):13.6 mOhms
漏極連續(xù)電流:44 A
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:ON Semiconductor

以上是NTD4963N-1G的詳細信息,包括NTD4963N-1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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