色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > NSS40200UW6T1G

NSS40200UW6T1G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: 6-WDFN（2x2）
數量：: 3267
說明：: 兩極晶體管 - BJT WDFN6 2*2 LOW VCE (SAT) TR

一、本商品被瀏覽0次.

NSS40200UW6T1G PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
供應商器件：
封裝封裝/外殼：6-WDFN 裸露焊盤
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：140MHz
功率 - 最大值：875 mW
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：150 @ 1A，2V
電流 - 集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：300mV @ 20mA，2A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：40 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：2 A
晶體管類型：PNP
產品狀態：停產
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：onsemi

以上是NSS40200UW6T1G的詳細信息，包括NSS40200UW6T1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：