色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > NSS40301MDR2G

NSS40301MDR2G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: 8-SOIC
數(shù)量：: 4151
說明：: 兩極晶體管 - BJT MATCHED LO VCE(SAT) SOIC8

一、本商品被瀏覽0次.

NSS40301MDR2G PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
認(rèn)證機(jī)構(gòu)：
封裝封裝/外殼：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：100MHz
功率 - 最大值：653mW
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：180 @ 1A，2V
電流 - 集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：115mV @ 200mA，2A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：40V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：3A
晶體管類型：2 NPN（雙）
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷帶
品牌：onsemi

以上是NSS40301MDR2G的詳細(xì)信息，包括NSS40301MDR2G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產(chǎn)品：