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NSS12600CF8T1G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: ChipFET?
數量：: 2781
說明：: 兩極晶體管 - BJT SBN_BE (MY1) CHPFET 12V

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NSS12600CF8T1G PDF參數資料

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中文參數如下：
供應商器件：
封裝封裝/外殼：8-SMD，扁平引線
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：100MHz
功率 - 最大值：830 mW
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：250 @ 1A，2V
電流 - 集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：170mV @ 400mA，4A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：12 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：5 A
晶體管類型：PNP
產品狀態：停產
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：onsemi

以上是NSS12600CF8T1G的詳細信息，包括NSS12600CF8T1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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