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NSS1C201LT1G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: SOT-23-3
數量：: 6306
說明：: 兩極晶體管 - BJT NPN 100V LOW V-SAT SOT23

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NSS1C201LT1G PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：3000
包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：710 mW
直流電流增益 hFE 最大值：360
集電極連續電流：2 A
封裝形式：SOT-23-3
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：40
增益帶寬產品fT：110 MHz
最大直流電集電極電流：3 A
集電極—射極飽和電壓：150 mV
發射極 - 基極電壓 VEBO：7 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：100 V
集電極—基極電壓 VCBO：140 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：是
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：ON Semiconductor

以上是NSS1C201LT1G的詳細信息，包括NSS1C201LT1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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