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NGTD13T65F2WP

廠家：: onsemi
封裝：: 模具
數(shù)量：: 8910
說明：: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

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NGTD13T65F2WP PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：模具
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：-
測(cè)試條件：-
25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：-
柵極電荷：-
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
開關(guān)能量：-
功率 - 最大值：-
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V，30A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：120 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
IGBT 類型：溝槽型場(chǎng)截止
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：散裝
品牌：onsemi

以上是NGTD13T65F2WP的詳細(xì)信息，包括NGTD13T65F2WP廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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