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NGTD21T65F2WP

廠家：
  onsemi
封裝：
 模具
數量：
 8964  
說明：
 IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
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NGTD21T65F2WP PDF參數資料

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中文參數如下：
封裝封裝/外殼：模具
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
反向恢復時間 (trr)：-
測試條件：-
25°C 時 Td（開/關）值：-
柵極電荷：-
輸入類型：標準
開關能量：-
功率 - 最大值：-
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，45A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：200 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
IGBT 類型：溝槽型場截止
產品狀態：在售
包裝：-
系列：散裝
品牌：onsemi

以上是NGTD21T65F2WP的詳細信息，包括NGTD21T65F2WP廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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