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NGTB25N120IHLWG

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: TO-247-3
數(shù)量：: 270
說明：: IGBT 晶體管

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NGTB25N120IHLWG PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

安裝風格：Through Hole
封裝形式：TO-247
功率耗散：250 W
在25 C的連續(xù)集電極電流：50 A
柵極/發(fā)射極最大電壓：20 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

以上是NGTB25N120IHLWG的詳細信息，包括NGTB25N120IHLWG廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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