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NGTB25N120LWG

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 TO-247-3
數量:
 279  
說明:
 IGBT 晶體管 1200/25A IGBT LPT TO-247
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NGTB25N120LWG-TO-247-3圖片

NGTB25N120LWG PDF參數資料

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中文參數如下:

安裝風格:Through Hole
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-247
功率耗散:77 W
柵極—射極漏泄電流:100 nA
在25 C的連續集電極電流:50 A
柵極/發射極最大電壓:20 V
集電極—射極飽和電壓:2.3 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:1200 V
RoHS:是
制造商:ON Semiconductor

以上是NGTB25N120LWG的詳細信息,包括NGTB25N120LWG廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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