色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > IGBT 晶體管 > NGTB10N60R2DT4G

NGTB10N60R2DT4G

廠家：: onsemi
封裝：: DPAK
數量：: 513
說明：: IGBT 600V 20A DPAK

一、本商品被瀏覽0次.

NGTB10N60R2DT4G PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
封裝封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：175°C（TJ）
反向恢復時間 (trr)：90 ns
測試條件：300V，10A，30 歐姆，15V
25°C 時 Td（開/關）值：48ns/120ns
柵極電荷：53 nC
輸入類型：標準
開關能量：412μJ（開），140μJ（關）
功率 - 最大值：72 W
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，10A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：40 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：20 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600 V
IGBT 類型：-
產品狀態：停產
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：onsemi

以上是NGTB10N60R2DT4G的詳細信息，包括NGTB10N60R2DT4G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET 開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

IGBT 晶體管最新產品：