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NGTB15N120IHLWG

廠家：
  ON Semiconductor
封裝：
 TO-247-3
數量：
 207  
說明：
 IGBT 晶體管
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NGTB15N120IHLWG-TO-247-3圖片

NGTB15N120IHLWG PDF參數資料

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中文參數如下：

安裝風格：Through Hole
封裝形式：TO-247
功率耗散：250 W
在25 C的連續集電極電流：30 A
柵極/發射極最大電壓：20 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

以上是NGTB15N120IHLWG的詳細信息，包括NGTB15N120IHLWG廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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