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NE651R479A

廠家：
  NEC/CEL
封裝：
 79A
數量：
 3888  
說明：
 射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs HJFET
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NE651R479A-79A圖片

NE651R479A PDF參數資料

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中文參數如下：

P1dB：27 dBm
封裝形式：79A
安裝風格：SMD/SMT
功率耗散：2.5 W
最大工作溫度：+ 125 C
漏極連續電流：1 A
閘/源擊穿電壓：- 4 V
漏源電壓 VDS：8 V
增益：12 dB
頻率：1.9 GHz
技術類型：HEMT
RoHS：否
制造商：NEC

以上是NE651R479A的詳細信息，包括NE651R479A廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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