色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 射頻半導體 > 晶體管射頻 > 射頻GaAs晶體管 > NE651R479A-EVPW26

NE651R479A-EVPW26

廠家：: CEL
封裝：: 79A
數(shù)量：: 3897
說明：: 射頻GaAs晶體管 For NE651R479A-A Power at 2.6 GHz

一、本商品被瀏覽0次.

NE651R479A-EVPW26 PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

P1dB：27 dBm
封裝形式：79A
安裝風格：SMD/SMT
功率耗散：2.5 W
最大工作溫度：+ 125 C
漏極連續(xù)電流：1 A
閘/源擊穿電壓：- 4 V
漏源電壓 VDS：8 V
增益：12 dB
頻率：1.9 GHz
技術(shù)類型：HEMT
RoHS：否
產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管
制造商：CEL

以上是NE651R479A-EVPW26的詳細信息，包括NE651R479A-EVPW26廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管射頻產(chǎn)品：

射頻MOSFET電源晶體管射頻硅鍺晶體管射頻雙極小信號晶體管射頻JFET晶體管射頻雙極電源晶體管

最新產(chǎn)品：

NP75P04YLG-E1-AY

O 20,0-JTP75HC-F-P-3,3-LF

SW4-010180AN5NM

T540D156M035AH6710

AFS42-00101800-25-S-42

ADS8167IRHBR

RER40F1430RC02

50-CBSA-4.0X4.25X0.5