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NDD04N60Z-1G

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 I-PAK
數(shù)量:
 459  
說明:
 MOSFET NFET IPAK 600V 4A 1.8R
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NDD04N60Z-1G-I-PAK圖片

NDD04N60Z-1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

功率耗散:83 W
柵極電荷 Qg:19 nC
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :3.3 S
包裝形式:Rail
封裝形式:IPAK
安裝風(fēng)格:Through Hole
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):1.8 Ohms
漏極連續(xù)電流:4.1 A
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:ON Semiconductor

以上是NDD04N60Z-1G的詳細(xì)信息,包括NDD04N60Z-1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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