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中文參數如下:
功率耗散:83 W
柵極電荷 Qg:19 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :3.3 S
包裝形式:Reel
封裝形式:DPAK
安裝風格:SMD/SMT
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):1.8 Ohms
漏極連續電流:4.1 A
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:ON Semiconductor
以上是NDD04N60ZT4G的詳細信息,包括NDD04N60ZT4G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!