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NCV8402DDR2G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
數量：: 2961
說明：: MOSFET N-Channel MOSFET 2.0 A 42V

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NCV8402DDR2G PDF參數資料

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中文參數如下：

功率耗散：1.62 W
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：165 mOhms
漏極連續電流：2 A
閘/源擊穿電壓：+/- 14 V
汲極/源極擊穿電壓：42 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

以上是NCV8402DDR2G的詳細信息，包括NCV8402DDR2G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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