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NCV8402DDR2G

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
數(shù)量:
 2961  
說明:
 MOSFET N-Channel MOSFET 2.0 A 42V
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NCV8402DDR2G-8-SOIC(0.154

NCV8402DDR2G PDF參數(shù)資料

PDF點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

功率耗散:1.62 W
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
封裝形式:SOIC-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):165 mOhms
漏極連續(xù)電流:2 A
閘/源擊穿電壓:+/- 14 V
汲極/源極擊穿電壓:42 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:ON Semiconductor

以上是NCV8402DDR2G的詳細信息,包括NCV8402DDR2G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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