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MMBTH10_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SOT-23
數量：: 3789
說明：: 兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor

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MMBTH10_Q PDF參數資料

中文參數如下：

包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：225 mW
封裝形式：SOT-23
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：60 at 4 mA at 10 V
增益帶寬產品fT：650 MHz
最大直流電集電極電流：0.05 A
集電極—射極飽和電壓：25 V
發射極 - 基極電壓 VEBO：3 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：25 V
集電極—基極電壓 VCBO：30 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是MMBTH10_Q的詳細信息，包括MMBTH10_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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