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MMBT918LT1G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: SOT-23-3（TO-236）
數量：: 1349
說明：: 兩極晶體管 - BJT 50mA 15V NPN

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MMBT918LT1G PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：3000
包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：225 mW
集電極連續電流：0.05 A
封裝形式：SOT-23-3
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：20 at 3 mA at 1 V
增益帶寬產品fT：600 MHz
最大直流電集電極電流：0.05 A
集電極—射極飽和電壓：15 V
發射極 - 基極電壓 VEBO：3 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：15 V
集電極—基極電壓 VCBO：30 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：是
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：ON Semiconductor

以上是MMBT918LT1G的詳細信息，包括MMBT918LT1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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