色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > MMBTA 56 LT1

MMBTA 56 LT1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: SOT-23
數量：: 66868
說明：: 兩極晶體管 - BJT AF GP BJT PNP 80V 0.5A

一、本商品被瀏覽0次.

MMBTA 56 LT1 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

零件號別名：MMBTA56LT1HTSA1 MMBTA56LT1XT SP000011691
工廠包裝數量：1
包裝形式：Reel
最大功率耗散：330 mW
封裝形式：SOT-23
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：100 at 10 mA at 1 V
增益帶寬產品fT：100 MHz (Typ)
最大直流電集電極電流：0.5 A
發射極 - 基極電壓 VEBO：4 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：80 V
集電極—基極電壓 VCBO：80 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：是
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Infineon

以上是MMBTA 56 LT1的詳細信息，包括MMBTA 56 LT1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：