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MMBT5551LT1G

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 SOT-23-3
數(shù)量:
 26310  
說(shuō)明:
 兩極晶體管 - BJT 600mA 160V NPN
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MMBT5551LT1G-SOT-23-3圖片

MMBT5551LT1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:3000
包裝形式:Reel
最小工作溫度:- 55 C
最大功率耗散:225 mW
直流電流增益 hFE 最大值:250
集電極連續(xù)電流:0.6 A
封裝形式:SOT-23-3
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:80
最大直流電集電極電流:0.6 A
集電極—射極飽和電壓:160 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:6 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:160 V
集電極—基極電壓 VCBO:140 V
晶體管極性:NPN
配置:Single
RoHS:是
產(chǎn)品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:ON Semiconductor

以上是MMBT5551LT1G的詳細(xì)信息,包括MMBT5551LT1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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