色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > MJD18002D2T4

MJD18002D2T4

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: TO-252-3 (DPAK)
數量：: 4824
說明：: 兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 450V TR

一、本商品被瀏覽0次.

MJD18002D2T4 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

工廠包裝數量：2500
包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 65 C
最大功率耗散：50000 mW
封裝形式：TO-252-3 (DPAK)
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：14
最大直流電集電極電流：2 A
發射極 - 基極電壓 VEBO：11 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：450 V
集電極—基極電壓 VCBO：1 kV
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：否
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：ON Semiconductor

以上是MJD18002D2T4的詳細信息，包括MJD18002D2T4廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：