色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > MJD200RL

MJD200RL

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: TO-252-3 (DPAK)
數量：: 2088
說明：: 兩極晶體管 - BJT 5A 25V 12.5W NPN

一、本商品被瀏覽0次.

MJD200RL PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

工廠包裝數量：1800
包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 65 C
最大功率耗散：12.5 W
集電極連續電流：5 A
封裝形式：TO-252-3 (DPAK)
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：70 at 500 mA at 1 V
增益帶寬產品fT：65 MHz
最大直流電集電極電流：5 A
集電極—射極飽和電壓：40 V
發射極 - 基極電壓 VEBO：8 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：25 V
集電極—基極電壓 VCBO：40 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：否
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：ON Semiconductor

以上是MJD200RL的詳細信息，包括MJD200RL廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：