色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > MJB42CT4

MJB42CT4

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: TO-263-3 (D2PAK)
數量：: 5274
說明：: 兩極晶體管 - BJT 6A 100V 65W PNP

一、本商品被瀏覽0次.

MJB42CT4 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

工廠包裝數量：800
包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 65 C
最大功率耗散：65 W
集電極連續電流：6 A
封裝形式：TO-263-3 (D2PAK)
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：30
增益帶寬產品fT：3 MHz
最大直流電集電極電流：6 A
集電極—射極飽和電壓：100 V
發射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：100 V
集電極—基極電壓 VCBO：100 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：否
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：ON Semiconductor

以上是MJB42CT4的詳細信息，包括MJB42CT4廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：