色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > MJB45H11T4

MJB45H11T4

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: TO-263-3 (D2PAK)
數(shù)量：: 5877
說明：: 兩極晶體管 - BJT 8A 80V 50W PNP

一、本商品被瀏覽0次.

MJB45H11T4 PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：800
包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：50 W
集電極連續(xù)電流：10 A
封裝形式：TO-263-3 (D2PAK)
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：60
增益帶寬產品fT：40 MHz
最大直流電集電極電流：10 A
集電極—射極飽和電壓：80 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：80 V
集電極—基極電壓 VCBO：5 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：否
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：ON Semiconductor

以上是MJB45H11T4的詳細信息，包括MJB45H11T4廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：