色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > KSC5302DITU

KSC5302DITU

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: IPAK
數(shù)量：: 5499
說明：: 兩極晶體管 - BJT

一、本商品被瀏覽0次.

KSC5302DITU PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

包裝形式：Rail
最大功率耗散：25000 mW
封裝形式：IPAK
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：20
最大直流電集電極電流：2 A
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：12 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：400 V
集電極—基極電壓 VCBO：800 V
晶體管極性：NPN
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是KSC5302DITU的詳細信息，包括KSC5302DITU廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產(chǎn)品：