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KSC5302DMSTU

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-126
數量：: 5508
說明：: 兩極晶體管 - BJT

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KSC5302DMSTU PDF參數資料

中文參數如下：

包裝形式：Rail
最大功率耗散：25000 mW
封裝形式：TO-126
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：20
最大直流電集電極電流：2 A
發射極 - 基極電壓 VEBO：12 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：400 V
集電極—基極電壓 VCBO：800 V
晶體管極性：NPN
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是KSC5302DMSTU的詳細信息，包括KSC5302DMSTU廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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