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KSB811GBU

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-92S
數量：: 4635
說明：: 兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil

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KSB811GBU PDF參數資料

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中文參數如下：
供應商器件：
封裝封裝/外殼：TO-226-3，TO-92-3 短體
安裝類型：通孔
工作溫度：150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：110MHz
功率 - 最大值：350 mW
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：200 @ 100mA，1V
電流 - 集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：500mV @ 100mA，1A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：25 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：1 A
晶體管類型：PNP
產品狀態：停產
包裝：-
系列：散裝
品牌：onsemi

以上是KSB811GBU的詳細信息，包括KSB811GBU廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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