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KSB811GTA

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-92S
數(shù)量：: 4644
說(shuō)明：: 兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Transistor

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KSB811GTA PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
供應(yīng)商器件：
封裝封裝/外殼：TO-226-3，TO-92-3 短體
安裝類(lèi)型：通孔
工作溫度：150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：110MHz
功率 - 最大值：350 mW
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：200 @ 100mA，1V
電流 - 集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：500mV @ 100mA，1A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：25 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：1 A
晶體管類(lèi)型：PNP
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：帶盒（TB）
品牌：onsemi

以上是KSB811GTA的詳細(xì)信息，包括KSB811GTA廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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