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IXTM21N50

廠家：: Ixys
封裝：: TO-204AE
數(shù)量：: 7515
說明：: MOSFET 21 Amps 500V 0.23 Rds

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IXTM21N50 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關閉延遲時間：65 ns
工廠包裝數(shù)量：20
上升時間：33 ns
功率耗散：300 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：21 s
下降時間：30 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-204AE
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.25 Ohms
漏極連續(xù)電流：21 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：500 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXTM21N50的詳細信息，包括IXTM21N50廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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